//--作者的碎碎念--//

這次要來學習的是散熱的模擬.........

嗯~話說,我之前去上了一堂散熱設計的課程,本以為是要教如何設計散熱機構的,結果是有關電路散熱的問題阿。

但講師說了一句很中肯的:討論散熱最重要的事情,就是不要發熱壓~~~

嗯~好吧~這句話對機構來說沒有意義.....哈哈哈哈

但對整體系統來說很重要。(其實我是做系統的,但不知怎麼著一直在做機構跟軟體...)

//--本篇簡介--//

這篇是在講我學習熱模擬器的過程,就這樣...

//--正文--//

下面有兩套系統進行比較

1. 兩塊散熱塊組合

設計如下圖,兩塊散熱塊分別分布於兩邊,這樣的設計...嗯,有幾點好處就是了。

先將散熱塊本身單獨模擬,散熱塊如下圖,

然後開始設定:

  1. 熱通量:19791 W/m^2
  2. 對流:226 (W/m^2)/K (鋁)

執行後得到

嗯...最外層是47.99度,最中間是45.44度,這樣表示??

 


2. 一塊散熱塊組合

就是上面兩塊合成一塊的方式了,它也是有它的好處啦...

同樣的參數但是兩邊給熱通量,結果是:

嗯...最外層是53.488度,最中間是56.737度,這樣表示??

好啦,兩種都模擬出來了,但這能表示什麼呢??


再來修改一下重新模擬

將MOS裝上去,使用MOS來發熱。同樣的參數,但MOS一次只有四個會發熱,每個熱通量為 824.625 W/m^2,得到的結果如下:(這次是攝氏了)

首先選擇中間四個發熱:

再來是左邊四個發熱:

最後是右邊四個發熱:

另外模擬雙邊開區塊不一樣的情況:

 


 

以這個情況看來似乎散熱效果不錯,溫升只有兩度左右.....

但是~~實際的情況好像又不是這麼回事,因為過去設計的散熱塊都沒有這樣順利阿。

下此要把整個機構都拿來模擬一下,還有空氣的對流問題,要好好研究一下了~~~

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