//--作者的碎碎念--//
繼續上次的模擬實驗.............
//--正文--//
將模擬加入外殼散熱：
1. MOS在中間版本
a. 周圍溫度 20度
b. 周圍溫度 30度
c. 周圍溫度 40度
d. 周圍溫度 50度
2. MOS在旁邊版本
a. 周圍溫度 20度
b. 周圍溫度 30度
c. 周圍溫度 40度
d. 周圍溫度 50度
模擬這個好像有點無聊...= =...
我只是要知道，一定的時間過後，溫度的變化如何。因為沒有開洞，所以沒有熱流可以模擬，所以乾脆變更周圍溫度想來看看穩態的溫度上升變化，似乎好像這個方法沒有什麼結果.......
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